Китайские исследователи совершили прорыв в разработке передовых литографических материалов
Группа ученых из Пекинского университета совместно с коллегами совершила прорыв в визуализации фоторезиста на молекулярном уровне (это светочувствительный материал, используемый в ходе производства микросхем). По мнению исследователей, открытие, которому была посвящена статья в научном журнале Nature, может поспособствовать значительному уменьшению дефектов при изготовлении высокотехнологичных микросхем. Фоторезист используется в ходе фотолитографии и фотогравировки и является ключевым компонентом в технологическом процессе. Зависимость Китая от импорта фоторезистивных материалов относят к числу факторов, которые ограничивают потенциал страны в этом секторе.
В статье, опубликованной в государственной газете Science and Technology Daily, открытие было представлено как шаг на пути к устранению препятствий для запуска технологических процессов в пределах семи нанометров и ниже. Этот прорыв рассматривается как стимул к повышению самодостаточности Китая, поскольку литография остается одним из узких мест в производственных цепочках. Напомним, что в 2019 году ведущий мировой поставщик оборудования для производства микросхем ASML под давлением США прекратил поставки в Китай своих передовых литографических установок.

Как отмечают ученые, десятилетия исследований не помогли ощутимо продвинуться в понимании изменений свойств фоторезиста в жидкой пленке (среде для растворения), поэтому алгоритм уменьшения дефектов наноразмерных схем в литографии по-прежнему сводится к методу проб и ошибок. Исследовательская группа использовала метод «криоэлектронной томографии» для изучения наноструктур фоторезистивных полимеров в жидкой пленке и на границах раздела газ-жидкость. После устранения загрязнений на 12-дюймовых пластинах в промышленных условиях количество дефектов в шаблонах для литографии снизилось на 99%. По словам Peng Hailin, профессора физической химии Пекинского университета и руководителя группы, новый подход улучшит контроль дефектов и снизит процент брака в ключевых процессах современного производства микросхем, таких как литография, травление и влажная очистка.
На выставке WeSemiBay Semiconductor Ecosystem Expo, которая прошла в южном технологическом центре Шэньчжэня в октябре 2025 года, Skyverse Technology, дочерняя компания по производству материалов местного производителя оборудования для микросхем SiCarrier, представила фоторезист, который может быть использован для производства в сверхвысоковольтной области (EUV). Однако Китай все еще в значительной степени зависит от импорта фоторезиста: согласно отчету China Chemical Market Insights, более 90% материала закупается за рубежом. Доминирующие позиции на рынке высококачественного полупроводникового фоторезиста занимают несколько японских компаний, включая JSR, Tokyo Ohka Kogyo, Shin-Etsu Chemical и Fujifilm Electronic Materials.
По материалам scmp.com